SiO2表面改性對(duì)間位芳綸絕緣紙性能的影響
摘要：為了分析SiO2納米顆粒表面接枝硅烷偶聯(lián)劑KH550對(duì)間位芳綸絕緣紙(PMIA)性能的影響,利用分子動(dòng)力學(xué)方法,建立了表面改性SiO2摻雜PMIA的復(fù)合模型。研究了表面接枝率分別為6%和12%的SiO2對(duì)PMIA玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、熱穩(wěn)定性和力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:對(duì)納米SiO2適當(dāng)?shù)慕又Ω男阅軌蜻M(jìn)一步提升間位芳綸絕緣紙的熱穩(wěn)定性和力學(xué)性能。與不接枝硅烷偶聯(lián)劑的SiO2相比,表面接枝率為6%的SiO2對(duì)PMIA玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的提升幅度更大,同時(shí)在均方位移方面展現(xiàn)出的減弱分子鏈運(yùn)動(dòng)能力以及在力學(xué)性能方面表現(xiàn)出的抗形變、抗剪切能力均更加突出。但當(dāng)SiO2表面接枝率為12%時(shí),對(duì)絕緣紙熱穩(wěn)定性與力學(xué)性能的提升幅度和作用效果均不顯著,與不接枝時(shí)相近。最后,對(duì)兩種接枝率SiO2的影響效果進(jìn)行了機(jī)理分析。
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絕緣材料雜志
絕緣材料雜志， 月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：材料研究、絕緣技術(shù)、測(cè)試與分析、導(dǎo)熱絕緣專(zhuān)題、綜述、廣告·書(shū)評(píng)等。于1966年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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